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标题: [转载]贴片电容的封装与耐压值 [打印本页]

作者: 稻草人 时间: 2010-12-5 14:46 标题: [转载]贴片电容的封装与耐压值

转自博客-
贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容.电容量-温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。
按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的贴片电容(MLCC)按温度稳定性分成三类：COG(NPO)，X7R，Y5V(Z5U)
　　COG(NPO)：一类电介质，超稳定级（I类）。电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的电路。
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封装 DC=50V       DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1nF---33nF    1nF---18nF
　
　　X7R：二类电介质，稳定级（II类）。电气性能稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化度不显著，适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。由于X7R是一种强电介质，因而能造出容量比NPO介质更大的电容器
X是最低温度-55度 7是最高承受温度125度 R是使用温度内容值变化的范围+-15%
同理 X5R只是最高温度为85度
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封装 DC=50V             DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF       0.01μF---0.56μF
　　Y5V(Z5U)：三类电介质，能用级（Ⅲ）。具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装 DC=25V             DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF    0.01μF---1μF

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